SI4712DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI4712DY-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SO |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | SkyFET®, TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1084 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 14.6A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI4712 |
SI4712DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI4712DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
VBSEMI SO-8
SILICON QFN20
VISHAY SOP-8
RF XMITTER FM 76-108MHZ 20UFQFN
SI4712-A01-GM SILICON
RF XMITTER FM 76-108MHZ 20UFQFN
VISHAY SOP-8
VISHAY SO-8
Si4712DY-T1-E3 VISHAY
MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC
SI4712DY VISHAY
SI4712-A20-GMR SILICON
SILICON LABS QFN20
VISHAY SOP8
SI4713-A20-GMR SILICON
BOARD EVAL SI4713 VERSION B
RF XMITTER FM 76-108MHZ 20UFQFN
SILICON QFN
RF XMITTER FM 76-108MHZ 20UFQFN
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI4712DY-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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